Samsung представила память HBM3E «Shinebolt» с рекордной скоростью чтения
Samsung продвигает технологию HBM3E DRAM (Shinebolt) как решение для приложений искусственного интеллекта нового поколения. HBM3E обладает впечатляющей скоростью передачи данных, достигая 9,8 Гбит/с на каждый контакт и общей скоростью более 1,2 ТБ/с. Это обеспечивается путем оптимизации технологии непроводящей пленки (NCF), устраняющей зазоры между чипами и максимизирующей теплопроводность. Продукты Samsung 8H и 12H HBM3 находятся в…